反激波形細節探討和一些見解，見目錄： 1，MOSFET 源極流出的電流（Is）波形，分析和改善2，MOSFET 柵極Vgs波形，關于密勒平臺原理及改善3，Vds電壓波形，關于尖峰電壓的尖峰振鈴解決的一些辦法以及引伸的一些探討4，動態負載波形，關于動態特性的、判斷、改善的辦法5，Hold-up time（保持時間）波形，關于保持時間的改善方法6，容性帶載起機輸出波形，作用及設計要點

  1，MOSFET 源極流出的電流（Is）波形，分析和改善針對反激電源開發過種中的一些具體問題，以實測波形中的細節作探討，以下先上一圖： Is電流波形上的細節圖

  A點，Ids電流前端尖峰所引起的原因 B點，在下降時出現的凹口

  A： 首先，這個尖峰為MOS開通時出現的，根據反激回路，Ids電流環為Vbus經變壓器原邊、MOS形成回路。原邊線圈電感特性，其電流不能突變，本應成線性上升，但由于原邊線圈匝間存在的分布電容，在開啟瞬間，使Vbus經分存電容C到MOS有一高頻通路，所以形成一時間很短尖峰，

  根據greendot的提示，上圖作修改過，C的位置如下，其中藍色框內為變壓器的原理圖

  不出所料，是原邊LED上的方案。 也幫你貼上圖：

  原邊方案的特點就是線路結構簡單，可調的動西不多，但可調的地方關聯較多，如電壓檢測和電流檢測端，調節是相互關聯的。工作一段時間出現掉電流也就這兩點的關聯，考慮到外設元件較少出現這種情況，那么首先懷疑IC內部基準的穩定性。

  針對B點的情況，做了以下，大家請看兩個圖 圖一，用ST21NM60 ，拐點低一些

  圖二，用IPA60R190C6,拐點要高一些

  1，從水平線可以看出，第二款MOS在Ids下降時出現的拐點比第一款MOS要高一點。不同MOS管對此處的影響不同， 2，ST21NM60這款MOS我從外形上看很像假貨，絲印下的封裝塑面有橫向條紋，引腳很單薄，比一般的ST MOS對比很薄很軟。這些是題外話，只是說無法從兩款MOS的datasheet異對比，具體原因大家可以杜撰下。

  下面提上Id和Is波形對比：

  Id

  Is

  當然Id波形可看到，關斷時刻并不成直線下降，成一定的斜率，關斷速度稍慢

  2，MOSFET 柵極Vgs波形，關于密勒平臺原理及改善

  圍繞反激波形，接著上圖，以下為MOS的驅動電壓波形，在上升沿有明顯的折點C，理想的驅動波形為線性上升無轉折的，所以，為什么會這樣，大家可給出自已的意見

  接上圖MOS驅動信號我們都知道，基本都是標準的方波，但接到MOS時，為什么會出現這種情況，先了解下MOS內的分布參數：

  手畫了張驅動信號波形來說明下情況設t0時刻是驅動波形上升的時刻 t1時刻是驅動波形上突后走平的那個臺階. 當t0-t1時刻:Ciss=Cgs ,驅動I給Cgs充電,Vgs上升 t1時刻:Vgs上升到MOS的開通電壓,此時的MOS已開通,與此同時Cgd通過D-S極放電,當Vds<=Vgs時,Cgd開始反向充電,Vgs會突然變小,此時對于MOS的輸入電容Ciss=Cgs+Cgd.. Cgd容量的大小直接影響了驅動波形上突點尖峰的大小和那個平臺停留的時間.

  （未完待續...）